용어*장비*개념해설

전기 용어(열전소자)-단열재, 발전소자, 방열기, 방열컴파운드, 전원공급기, 히트파이프

거친손 2009. 11. 30. 03:27
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열재는 약 100 ℃ 이하에서 사용하는 것을 목적으로 하는 보냉재(保冷材), 100~500 ℃의 보온재(保溫材), 500~1,100 ℃의 단열재, l,100 ℃ 이상에서 사용할 수 있는 내화 단열재(耐火斷熱材)로 구분됩니다.

열재는 소재(素材) 자체의 열전도율(熱傳導率)이 작은 것이 바람직하나, 대부분 열전도율이 그다지 작지 않다. 그러므로 대개의 경우 열전도율을 작게 하기 위해서 다공질(多孔質)이 되도록 만들어 기공(氣孔) 속의 공기의 단열성을 이용합니다.

재는 유기질(有機質)과 무기질로 크게 나뉘는데, 유기질에는 코르크, 면(綿) , 펠트, 탄화코르크 , 거품고무 등이 있으며, 약 150 ℃ 이하에서 사용하는 데 적합합니다. 무기질에는 석면(石綿) , 유리솜, 석영솜 , 규조토(硅藻土) , 탄산마그네슘 분말 , 마그네시아 분말 , 규산칼슘 , 펄라이트 등이 사용되며, 대부분 고온에서의 사용에 견딜 수 있다. 이것들은 각기 소재의 연화(軟化) , 분해온도가 사용 한계 입니다.

, -200 ℃ 정도의 초보냉재(超保冷材) 등은 알루미늄박(泊)과 유리솜을 번갈아 포개고, 플라스틱으로 포장해서 속의 공기를 뺀 것도 개발되고 있습니다. 한편, 1,000 ℃ 이상에서 사용되는 단열재의 대부분은 내화물(耐火物)을 다공질 모양으로 결합시켜 만든 내화벽돌이 사용 되는데 이 경우, 열전도율 외에 열팽창률(熱膨脹率)이나 수축률 등이 요구됩니다. 단열재는 노(爐)의 외벽, 반응탑, 기름의 저장 탱크, 스팀 도관(導管)이나 수도관의 외벽 등, 또 냉장고의 외부 등 많은 곳에 사용되고 있습니다.

 

 1. 서론
우리가 거주 하는 지구는 현재 산업의 발달로 에너지의 사용이 급증함에 따라 대체에너지의 개발과폐에너지의 유효이용 등 향후 에너지원 고갈에 대한 적극적인 대안이 요구 되고 있는 현실입니다.

현재 광범위하게 이뤄지고 있는 화석 에너지를 통한 발전은 여러분들도 잘 아시다시피 언젠가는 고갈 되어 그 여파가 한국가의 경제에 큰 영향을 미칠만큼 심각한 문제를 낳을지도 모릅니다.

이와 같은 요구에 부응하기 위하여 일본과 미국 등 선진국의 경우 해수 온도차와 태양열과 같은 자연에너지를 이용한 대용량 발전을 위해 고 발전특성을 갖는 발전재료의 연구개발이 활발히 진행 시키고 있으며 재료 양단의 온도차에 의하여 전압이 발생하는 Seebeck 효과와 이를 극대화 하기위한 많은 연구가 진행되어 왔습니다.

그러나 국내에서도 일부 연구기관에서 지속적인 발전재료의 연구가 이루어지고 있으나 재료적 측면에서는 아직 괄목한 만한 수준은 아닙니다.
이동용 무소음 발전장치
( ACETEC TEG - 001 )
열배관 부착용 폐열회수 발전장치
( ACETEC TEG - 002 )
그러나 에너지 변환의 근간은 발전재료의 적절한 성능과 이를 최대의 효율로 이끌어 낼수 있는 기계설계적 측면의 엔지니어링이 적절히 조화하여야 최선의 성능을 기대할수 있슴에 따라 당 ACETEC 주식회사는 이 분야에서는 타의 추종을 불허할 만큼의 세계적 기술수준을 자랑하고 있으며 발전재료의 종주국이라 자부하는 일본과 미국에서도 다양한 발전장치를 제작 의뢰할 만큼 독특하고 세계 최고의 노하우를 소지하고 있습니다.

일반적으로 전기는 발전기를 통해서 발전을 하나 열전발전은 어떠한 기계적인 구동 부분이 없이 단지 양단간의 온도차를 이용하여 기전력을 발생시킬수 있어 여러 산업에서 발생되는 폐열을 이용하여 발전이 가능합니다.
아울러 단사의 모델 ACEPW-001 의 모델과 같이 이동식 발전기로서도 충분히 가능성이 있어 개스버너를 이용하거나 화석연료로 가열하여 발전할수도 있습니다.
아울러 또한 시스템에 열이 잔존하는한 지속적으로 발전을 일으키는 장점이 있고 ,일정한 온도가 아니더라도 기전력이 발생하며 소형이고 수명이 길며 한번 설치하면 수십년간 아무런 조치없이도 계속 발전할수 있습니다. 이러한 열전발전은 현재 군용, 우주용, 극한지에서 많이 이용되고 있으며 우주탐사에서는 solar cell과 함께 우주선의 발전을 돕고 있으나 최초 투자비용의 회수 시점이 최소한 3년이상 이어서 초기투자에 많은 부담이 있으나 최초 투자비를 회수한후부터는 거의 무상으로 전기를 얻을수 있는 탁월한 장점이 있습니다.

이제 발전재료의 모든 것 그리고 발전까지 당사의 첨단 기술과 함께 선진 기술의 리더의 위치에 서십시오.
 2. 발전재료의 원리

발전소자는 Seebeck 의 원리를 이용하여 금속 양단면에 열의 차이를 주면 기전력의 차이로 인해서 전류가 발생되는 현상을 이용하여 가장 간단하게 발전을 이루는 시스템입니다.

발전소자는 타 발전설비와 같이 기계적인 구동 부분이 없이 양단간의 온도차를 이용하여 기전력을 발생시킬수 있어 현대 산업의 어떠한 공정에서의 폐열이라도 충분히 발전이 가능합니다.
또한 이동식 발전기로서도 충분히 가능성이 있어 당사의 TEG-001 및 TEG-002와 같이 개스버너를 이용하거나 화석연료 그리고 폐열이 발생하는 파이프 배관등에 단순부착 발전할수도 있습니다.
아울러 일정한 온도가 아니더라도 기전력이 발생하며 열원이 소멸 되었더라도 열발생장치가 식을 때 까지 지속적인 발전이 가능하며 소형이고 수명이 길며 한번설치하면 수십년간 아무런 조치없이도 계속 발전할수 있습니다. 이러한 발전발전은 현재 군용, 우주용, 극한지에서 많이 이용되고 있으며 우주탐사에서는 solar cell과 함께 우주선의 발전을 돕고 있습니다.
무소음, 무진동으로 유지. 보수가 필요 없고, 신뢰성이 높은 발전발전은 초기에는 군사용 전원장치를 비롯한 특수 소형전원장치에의 응용을 위해 개발되었으나, 온도차만 부여하면 발전이 가능하여 100℃ 미만의 저 열원에서 1000℃ 정도의 고열 원에 걸쳐 이용 가능한 열원의 종류가 다양하기 때문에 산업폐열을 이용한 발전발전기, 대체독립전원 등의 분야로 경제적 용도가 크게 확대되고 있습니다.
발전발전, 모듈은 양단에서의 온도차에 의해 고온단 부위에서 저온단 부위로 열 이동시 n형 발전소자와 p형 발전소자에서 각각 전자와 hole이 고온 단에서 저온 단으로 이동하므로 써 발전이 가능하게 됩니다.
발전모듈의 효율은 n형 및 p형 발전재료의 열기전력, 발전도도 및 전기 비 저항과 같은 발전특성과 발전소자 couple 수에 의해 결정됩니다.

일반적으로, 발전모듈용 소자는 열 입력을 크게 하기 위하여 일반적으로 얇은 관상으로 사용하기 때문에 가공시 발전재료의강도가 요구됩니다. 단 결정 발전재료는 기계적으로 취약하기 때문에, 이를 얇은 관상의 소자로 제조시 수율 저하가 가장 큰 문제점으로 되고 있습니다.
따라서 발전모듈용 재료로는 가압소결법으로 제조하여기계적 강도가 우수한 고밀도 소결체가 가장 적합한 것으로 알려져 있습니다. 최근 미국, 일본 등에서는 다결정 발전재료의 제조단가를 절감시키기 위해 금속합금의 제조법으로 커다란 주목을 받고 있는 기계적 합금화 (mechanical alloying)공정을 이용한 발전재료의 제조 및 특설에 관한 연구가 활발히 진행 되도 있습니다. 원료 분말이 고에너지 몰-밀 내에서의 반복적인 파괴와 압접에 의해 합금분말로 변화되는 기계적 합금화 공정은 상온공정이기 때문에, 이를 사용하여 다결정 발전재료를 제조시 기존의 다결정 발전재료의 제조공정인 용해 및 분쇄법과 비교하여 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있습니다.

지금까지 발전재료에 관한 재료기술과 응용기술은 주로 미국과 러시아에 독점되어 군사적인 용도에 이용되어 왔습니다.

그러나 현재 에너지 자원의 전량을 외국에서 수입에 의존하고 있는 국내 실정에 비추어 볼 때 폐에너지의 유효 이용으로 전기에너지의 절약이 가능한 발전발전 모듈이나 대체 에너지의 개발이 시급한 실정입니다.
이에 따라 국내에서도 재조단가의 절감이 기계적 합금화 공정을 이용한 발전발전용 PbTe계 및 전자냉각용 Bi2Te3계 발전재료의 제조기술 개발이 필수적으로 요구되고 있습니다.
2.1 발전현상
발전현상(Thermoelectric effect)은 열과 전기사이의 에너지 변환을 의미하며 변환소자의 양단에 온도차이가 있을 때 소자 내부의 carrier가 이동함으로 기전력이 발생하는 현상입니다.

발전현상은 1900년도 초부터 연구가 시작되어 구소련의 Ioffe가 약 4%의 변환효율을 얻을수 있게 연구가 진행되어 현재 약 10%이상의 변환효율을 가지고 있습니다. 이러한 발전은 양단간의 온도차를 이용하여 기전력을 얻어내는 Seebeck효과는 실용화를 위한 지속적인 개발이 이루어 지고 있으며 핵잠수함의 발전, 해수온도차발전, 태양열이용 발전등에서 당사는 이미 1 KW 급 발전기를 개발 완료하였으며 지속적으로 수MW급의 발전계획도 진행중입니다.

열전발전은 기본적으로 온도차를 이용하여 전기를 얻을수 있는 발전시스템이기 때문에 경제성을 고려하지 않는다면 지구상에 존재하는 어떤 종류의 열도 열원으로 이용할수 있습니다. 즉 태양열, 지열 등의 자연 에너지와 화석연료를 이용한 가열 에너지 및 도시배열, 산업폐열 등의 폐열 에너지 등이 모두 발전발전의 주 에너지원으로 사용할 수 있으며 -160℃에서 수백도까지의 전 온도범위에서 발전할수 있는 장점이 있습니다.
열전발전에 대해서는 세계에서 ACETEC(주)를 포함한 몇몇 업체가 지열, 태양열, 해수온도차, 연료전지, 배열가스, 승용차, 원자로, 가스, 전력계통등의 열원을 이용하여 Ocean thermal energy conversion(OTEC), Solar pond, Fueled thermoelectric generator(FTG), Radioisotope thermoelectric generator(RTG), Nuclear thermoelectric generator(NTG)등의 연구가 진행중입니다.
2.2 국내외 연구현황
열전소자를 응용한 시스템 기술이 가장 발달된 분야는 우주, 항공용이며 군용, 생체분야, 전자분야 등에서도 연구가 많이 되고 있으며 미국과 러시아, 일본등 대부분의 기술개발은 선진국에서 이루어지고 있으며 재료 및 시스템 기술의 종합이라고 할수 있습니다.

먼저 국내에서는 에이스텍(주)에서 약 10년간의 재료기술 및 시스템 구성 ( 냉각기,가열기,항온기,발전기) 기술을 축적하고 있으며 KIST에서는 10년전부터 연구를 시작하여 거의 냉각용 재료에 국한하여 연구되고 있습니다.
최근에는 전기연구소를 비롯하여 연세대, 영남대, 충남대, 고려대, 한국전자연구원, 에너지연구소, 에이스텍(주)등에서 많은 연구가 진행되어 전자분야, 항온 항습분야, 의료분야, 열전발전분야에 많은 기술을 축적하고 있습니다.
특히 에이스텍주식회사는 약 10 여년간의 노하우를 가지고 정확한 열해석과 전기적인 노하우 그리고 그간의 경험으로 이제 명실상부한 열전소자의 메카로 군림하며 국내외 유수의 연구기관과 해외 전문 생산업체에 그 노하우를 공급하고 있습니다.
세계각국의 연구현황
국 가 명 연 구 및 개 발 정 도
대 한 민 국 ACETEC : 0.1 KW 급 고정형 ,이동형 발전기 생산완료.
  1 Kwatt 급 고정형 ,이동형 발전기 개발 완료.
  차량용 발전기 개발.
  냉각,가열장치,항온 유지장치 및 각 시험장치 각 연구소 및 해외수출
  각 연구소 1980년경부터 소재개발 착수.
  민간기업 : 화장품 냉장고,차량용냉장고 출시.
미 국 NASA : Pioneer, Apolo, Voyager Ⅰ,Ⅱ호에 수백 W급 RTG사용
  Teledyne Energy Systems : 군용 0.1kW급 FTG개발(1985년)
  Global Thermoelectric :군용 0.1kW급 FTG 열전발전기(1986)
  General Electric : SP-100우주용 100kW급 NTG 제작(1988)
  Manportable TE generator 개발(1973) : 120W급
  열전해양열에너지 변환 장치 개발(1979)
일 본 1955년경부터 열전반도체재료 실험연구 착수
  통산성 주관 하의 New Sunshine계획에서 연구 중 : TEC/AMTEC 병행 연구
러 시 아 주로 군사용 열전발전기 개발
  - radar용 전원공급장치
  - 휴대용 통신장비의 전원공급시스템(2.5W~160W)
  - 송유관, 가스공급관 음극부식 방지용 전원공급 시스템
  - 핵잠수함의 전원공급 시스템 (2MW급)
  lamp 이용 radio 전원용 열전발전기(1.6~3W급)
  대량생산 (50년대 초)
  태양열 열전발전기 개발(1967)
독 일 박막형 열전발전기 개발(1962)
  열전전류발생기 개발(1967)
폴란드 열전발전기 mechanism연구(1966)
프랑스 RTG개발(1969)
연소식 열전발전용 재료, 연소실, 열교환기 등 개발(1973년)
루마니아 반도체식 열전발전기 개발(1974)
인도 태양열 열전발전기 개발(1976)-집전판 표면 coating, 집중기기
캐나다 액체연료형 열전발전기 개발(1986) 24~32Vdc,120W

2-3.열전발전의 원리
Fig. 2-1과 같은 금속 막대의 양단 간에 온도차, (△T=T1 - T2 )가 발생하면 n형 반도체의 경우, 고온 단에 있는 전자들은 저온 단에 있는 전자들보다 더 높은 운동에너지를 가지게 되어 고온 단의 전자들이 평균적으로 Fermi level 보다 더 높은 에너지 상태로 여기게 됩니다. 따라서 고온 단에 있는 전자들은 에너지를 낮추기 위해 저온 단으로 확산하게 됩니다. 전자들이 저온 단으로 이동함에 따라 저온 단은 " - " 로 대전되고 고온 부는 " + " 로 대전되어 금속 막대의 양단 간에 전위 차가 발생하며, 이를 Seebeck전압이라 합니다.

Seebeck전압은 전자들을 막대의 고온 단으로 되돌려 보내려는 방향으로 작용하며, Seebeck 전위가 저온 단으로 전자의 이동을 일으키는 열 적 구동력과 정확히 균형을 이룰 때 평형상태가 됩니다. 이와 같이 재료 양단 간의 온도차에 의해 발생하는 Seebeck전압Vs를 열기전력 (thermoelectromo-tive force) 라하며, 양단 간의 온도차가 매우 적은 범위에서 Vs는 양단 간의 온도차 △T에 비례하여 아래와 같이 식 (2.1)으로 나타낼 수 있습니다.
이때 비례상수 αA를 재료 A의 절대열전능이라 합니다. 그러나 어떤 재료의 절대 열전능을 직접 측정할 수 있는 방법은 없다.
임의의 재료 A의 절대열전능을 측정하기 위하여 Fig. 2-2(a)와 같이 재료A로만 구성된 접합을 만들어 전압계에 연결하면, 각 전선에 유기된 Seebeck 전위는 서로 정확하게 상쇄되어 전압계에는 net potential이 나타나지 않게 됩니다. 즉, Seebeck 전압은 Fig.2-2(b)와 같이 연결하는 전선이 연구하려는 재료와 다른 경우에 한해서 측정이 가능하다. 도체 A와 B의 절대열전능(absolute Seebeck coefficient)을 각각 αA αB라 하면 도체간의 열전능 또는 Seebeck 계수 αA+B는 식 (2.2)와 같이 표시됩니다.
Seebeck 계수는 온도의존성을 갖는 재료 고유의 물리적 특성입니다. 도체 양단 간의 온도차가 커서 Seebeck 전압 Vs와 온도차 △T 사이에 직선적인 관계가 설립하지 않는 경우에는 Vs를 식(2.3)과 표현할 수 있습니다.
독일의 Altenkirch는 1910년경 열전재료의 변환효율과 냉각 및 가열효과에 대한 이론을 도출하였습니다. 이 결과, 열전변환을 시용화하기 위해서는 Seebeck 계수가 크고 전기비저항과 열전도가 작은 재료를 필요로하는 것이 밝혀졌습니다. [18.19]. 그러나 금속은 종류에 관계없이 Wiedemann-Franz의 법칙에 의해 전기비저항과 열전도도의 곱이 일정하기 때문에 [20-22] 전기비저항과 열전도도를 동시에 낮추는 것은 불가능하였습니다. 또한 금속은 Seebeck 계수가 매우 적기 때문에 금속재료의 접합대를 이용한 전자냉각이나 발전은 실용 가능성이 없습니다.
1929년에 러시아의 Ioffe는 주기율표의 Ⅱ-Ⅴ족, Ⅳ-Ⅵ족 및 Ⅴ-Ⅵ족의 원소를 성분으로 한 화합믈 반도체를 사용하면, 열전발전의 변환효율을 2.5~4.2% 까지 비약적으로 향상시킬 수 있다는 것을 이론적인 견지에서 제창하였습니다. [1,23,24]. 이와 같은 이론을 바탕으로 2차대전 이후부터 열전반도체에 대한 개발 및 이들을 응용한 열전변환장치의실용화에 관한 연구 ? 개발이 전 세계적으로 활발히 진행되고 있습니다.

이를 좀 더 세부적으로 말하면 그림 3(b)에 나타낸 바와 같이 p-n접합부 A를 가열하면 Seebeck효과에 의해서 양 분지단 전극에 부하저항 R을 연결하면 전류 I가 흘러RI² 전력을 발생할 수 있습니다. p-n접합부에서 공급되는 1초당의 열량Wa [W]와 양 분지단의 방열량
로 표현됩니다. 또한, Wa-Wd는 열발전소자에 의해서 변환된 전력 P[W]로,
입니다.
이 식의 괄호 안의 폐회로에서의 양 분지단저압입니다. 여기서 부하 저항과 열발전소자의 합성내부저항 r의 비를 R/r = m으로 놓고 열발전소자의 효율 η을 외부회로에서 나온 전력 P와 열원에서 공급되어진 1초당의 열량Wa 와의 비로 정의합니다면, (3-22)식과 Wa를 이용하여 η는
로 표현됩니다. 열발전소자에서 취출된 최대출력은 일반의 전기회로와 같이 m-1일 때, rm 효울은 다음 식과 같습니다.
또한, 효율 η이 최대가 되는 m을 구하기 위하여 ∂η/∂m=o으로 놓고,m에 대하여 풀면, 최적 저항 비는
이 됩니다. 더욱이 (R/r)opt를 (3-22)식에 대입하여 I에 대하여 풀면, 최적 전류는
이 됩니다. 이때의 최대효율 ηMax는
로 표현됩니다.

따라서, 열전냉각, 가열소자 및 열발전소자는 이들을 구성하는 p형과 n형재료의 각 물성치로 표현되는 열전성능지수 Zpn=αpn2 / (√(ρpκp)+√(ρnκn))2 이 크면 클수록 최대흡열량, 최대성적계수, 최대강하온도차 및 최대발전효율도 크게 됩니다. 이 Z는 p형과 n형재료의 성능지수
가 크며, 이들의 값도 알고 있는 것이 바람직합니다. 이와 같은 조건을 만족하는 재료는 캐리어농도가 높은 (~1025m-3)화합물반도체 둥에서 볼 수 있으며, 이들 열전재료의 성능지수는 그림 4에 나타낸 바와 같이 재료에 따라 크게 차이가 있으며, 각각 고유의 온도의존성과 최대 값을 나타내는 온도도 다르기 때문에 용도에 적합한 온도영역에서 평균의 성능지수가 가장 크게 되는 재료를 선택 할 필요가 있습니다.

 

방열기는 말 그대로 뜨겁거나 찬 열의 이동을 보다 빠르게 하기 위하여 만들어진 도구입니다.
이는 뛰어난 열전도를 가진 금속재료에 열을 전도 시킨후 바람을 불어 넣어서 열을 날려 버리는 방식으로 열전도도는 은-구리-알루미늄 순으로 우수하게 나타납니다.
은과 구리는 경제성의 이유 및 부식성 그리고 낮은 기계적 강도를 이유로 대부분의 방열기의 소재는 특별한 경우를 제외하고는 알루미늄을 소재로 해서 많이 사용하지요.
현대의 여러 산업기기는 거의 모든 부분에서 전자부품을 사용함에 따라 저항에 따른 열의 발산이 가장 심각한 문제로 대두 됩니다.
따라서 현대의 모든 전자기기에는 방열에 대한 대책이 꼭 필요합니다.
1. 방열기의 종류
a. 사출식 방열기 : 알루미늄을 반용해 상태에서 주어진 형틀로 고압을 가하여 밀어냄으로서 형틀의 모양과 같이 일정하게 성형하는 방법으로 조직의 치밀도가 우수하고 가격이 저렴하나 복잡한 모양 및 긴 핀을 가져야하는 방열기의 제작에는 어려워서 잘 사용하지 않습니다.
그래서 주로 간단한 모양과 저효율의 열적 발산이 필요한 간략한 구조에 널리 사용되고 있습니다.
그러나 사출을 위한 금형 제작 비용이 투자 되어야 하는 단점이 있습니다.
b. 전기용접식 : 이 방식의 방열기는 모재의 알루미늄판에 얇은 알루미늄 판재를 요철모양으로 가공하여 부착함으로서 단면적을 최대화 시킨 장점도 있고 가격도 저렴하나 외부의 충격에 약한 단점이 있습니다.
c.알루미늄 핀 접착식.: 아마 여러분은 열전소자와 관련한 여러 사이트에서 긴 알루미늄판이 촘촘하게 알루미늄 모재위에 심어져 있는 방식과 같이 되어 있는 방열기의 사진을 많이 보셨을 겁니다. 이 알루미늄의 방열기는 사출이나 주조의 방식으로 이루어진 것이 아니고 일정한 넓이의 얇은( 이론적 1 mm 가 적당 ) 알루미늄판을 적정 길이 및 높이로 절단하여 알루미늄 모재의 가공을 통해 얻어진 접착부위에 심는 구조로 되어 있습니다..물론 가공비가 많이 드는 관계로 가격이 조금 비싸겠지요. 그러나 실제 열 발산의 효율은 뛰어납니다.
HS-50 HS-100
HS-200 핀의 모양
d. 스크러빙 타입 : 스크러빙 타입은 사진에서 보시는 바와 같이 알루미늄판을 칼로 오려서 회를 뜨듯이 올려 놓은 타입입니다. 가격적인 면에서 장점은 있으나 열 발산 효과면에서는 그리 뛰어나지를 못하고 또한 냉각팬의 부착에 어려움이 있습니다.
3. 수냉식 냉각장치
수냉식 냉각장치는 조금 특이하고 전문화된 냉각장치 이지만 그 냉각효과는 공랭식의 1.5 - 2 배에 달합니다.
그러나 그 구성은 냉각킷트와 물순환펌프 ,온도방열기,냉각팬이 들어가며 사양이 복잡한 것은 흠이나 탁월한 냉각 성능을 보실수 있습니다.
에이스텍(주)에서는 이미 수처리 냉각킷트도 개발하여 다양한 고객의 필요에 따라 엄격한 테스트를 거쳐서 공급해 드리고 있습니다.
대용량 수처리 냉각장치 열전소자 한 개용 수냉 재킷



 

방열그리스,방열 컴파운드(열전달물질)
어떠한 금속이나 고체의 다른 두 물체를 붙일 경우에 그 접촉면은 다이아몬드 연마과정과 같이 아주 메끄럽게 가공을 하여 연전달이 쉽도록 조치를 한다해도 그 표면을 현미경으로 보게되면 그야말로 엄청난 산과 골이 패어져 있는 것을 볼수 있습니다.
이 산과 골은 접촉면 사이에 공간을 주게 되어 결국 열전달을 방해하게 되지요.
이러한 접촉면의 열 전달을 수월하게 하기 위하여 면과 면사이의 흠을 채워주어 열전달이 원활하게 이루어지도록 도포하는 재료가 바로 열전달 물질입니다.
이는 접촉 되는 두 단면의 열의 이동을 쉽게 하기위하여 도포하는 일종의 열전달 매개물질로서 HEATSINK JELLY,HEATSINK COMPOUND,THERMAL GUNK,THERMAL GOO 라고 하기도 하는데 정확한 명칭은 “ THERMAL CONDUCTIVITY GREASE " 라고 합니다. 여기에는 ZINK OXIDE 계열과 AL2O3 계열이 있는데 여기에는 실리콘유에 차연산화물이나 알미늄의 산화물 등을 첨가해서 열전달성이 좋도록 만든 일종의 기름이라 생각하시면 됩니다.

에이스텍(주)는 “ THERMAL GREASE "," THERMAL COMPOUND " 및 ”THERMAL PAD "를 공급하고 있으며 이는 비전도성이라 열전소자나 기타 발열 ,냉각체로부터 냉각이나 가열하고자하는 물체에 열을 흡수하거나 공급 하기 위하여 도포할 경우에도 누전이나 단락을 걱정하시지 않으셔도 됩니다.

그러나 “ THERMAL GREASE "," THERMAL COMPOUND " 및 ”THERMAL PAD "는 약간의 특성상 다른점이 있으며 또한 그에 따라 열전달의 능력도 차이가 나고 있습니다.

열전달을 좋게 하려는 마음이 앞서시는 분은 간혹 “THERMAL PAD "와 ”THERMAL COMPOUND","THERMAL GREASE"를 같이 사용하시는 경우도 있습니다.만은 그건 불필요하고 오히려 부착면의 열전달을 나쁘게 할수도 있습니다.

아울러 저희 열전달물질은 비전도성이므로 단락현상을 걱정하시지 않으셔도 되고 아울러 열에 의해 마르는 현상 같은 것은 없으며 흔히들 이야기하는 중금속에 의한 독성은 없으므로니 안심하시고 쓰셔도 되나 애기들이 함부로 가지고 놀지 않도록 유의하여 주십시오.
종류 열전도도 상태 선호도 도포후 결과
THERMAL GREASE 양호 널리씀 약간 흘러나옴
THERMAL COMPOUND 양호 널리씀 보편적 양호
THERMAL PAD 미약 테이프식 한정부위 흘러내리지 않음

 

1. 서론
우리가 거주 하는 지구는 현재 산업의 발달로 에너지의 사용이 급증함에 따라 대체에너지의 개발과폐에너지의 유효이용 등 향후 에너지원 고갈에 대한 적극적인 대안이 요구 되고 있는 현실입니다. 현재 광범위하게 이뤄지고 있는 화석 에너지를 통한 발전은 여러분들도 잘 아시다시피 언젠가는 고갈 되어 그 여파가 한국가의 경제에 큰 영향을 미칠만큼 심각한 문제를 낳을지도 모릅니다.
이와 같은 요구에 부응하기 위하여 일본과 미국 등 선진국의 경우 해수 온도차와 태양열과 같은 자연에너지를 이용한 대용량 발전을 위해 고 열전특성을 갖는 열전재료의 연구개발이 활발히 진행 시키고 있으며
재료 양단의 온도차에 의하여 전압이 발생하는 Seebeck 효과와 재료 양단 간에 전류를 통하면 한 면이 발열하고 반대면이 흡열하는 Peltier 효과의 열전특성을 갖는 열전재료는 에너지 직접변환이 가능한 재료로 열전발전이나 열전냉각 분야에 응용하기 위해 많은 연구가 진행되어 왔습니다. 그러나 국내에서도 일부 연구기관에서 지속적인 열전재료의 연구가 이루어지고 있으나 재료적 측면에서는 아직 괄목한 만한 수준은 아닙니다.

그러나 에너지 변환의 근간은 열전재료의 적절한 성능과 이를 최대의 효율로 이끌어 낼수 있는 기계 설계적 측면의 엔지니어링이 적절히 조화되어야 최선의 성능을 기대할수 있슴에 따라 당 ACETEC 주식회사는 이 분야에서는 타의 추종을 불허할 만큼의 세계적 기술수준을 자랑하고 있으며 열전소자를 이용한 칠러,항온항습기,LCD test 장비 , 반도체 시험 및 생산장비의 생산하여 수출 대체 효과 및 열전재료의 종주국이라 자부하는 일본과 미국에서도 각종 연구 시스템과 시험기기 그리고 다양한 생활용품등을 제작 의뢰 할 만큼 독특한 노하우를 소지하고 있습니다.
시험관보관기
( ACETEC-TUBE-002)
항온수공급기
( ACETEC-CH-001 )
냉각,가열엔진
( AS SERIES )
무소음 폐열회수 발전기
(ACETEC-GE-002)
이제 열전재료의 모든 것 냉각,가열 그리고 발전까지 당사의 첨단 기술과 함께 리더의 위치에 서십시오.
2. 열전재료의 원리
2.1 열전현상
열전현상(Thermoelectric effect)은 열과 전기사이의 에너지 변환을 의미하며 변환소자의 양단에 온도차이가 있을 때 소자 내부의 carrier가 이동함으로 기전력이 발생하는 현상입니다.

열전현상은 1900년도 초부터 연구가 시작되어 구소련의 Ioffe가 약 4%의 변환효율을 얻을수 있게 연구가 진행되어 현재 약 10%이상의
변환효율을 가지고 있습니다.
이러한 열전은 양단간의 온도차를 이용하여 기전력을 얻어내는 Seebeck효과, 기전력으로 냉각과
가열을 하는 Peltier효과, 도체의 선상의 온도차에 의해 기전력이 발생하는 Tomson효과로 나눌수
있으며 재료분야가 핵심기술이나 제품화과정의 시스템기술이 더욱 부각되고 있습니다.
이러한 Peltier효과를 이용하여 가습기, CPU냉각, 냉정수기, 냉장고등이 실용화에 많이 이용되고
있으며 핵잠수함의 발전, 해수온도차발전, 태양열이용 발전등에서는 수MW급의 발전계획도
진행중입니다.
* 열전소자의 용도
용 도 픔 목
가정용 제습기, 냉/온정수기, 자판기, 차량냉장고, 기능성 화장품보관함
산업용 공작기계 기판 냉각용, 분전반 냉각기, 열량계, 반도체용 설비
항공용 블랙박스 냉각장치, 항공전자제어장치의 냉각설비, 열조절장치
우주용 발전기, 발열기, 냉각기
군사용 적외선탐지기, 미사일유도용회로 냉각기, 레이저관측장비
연구용 각종 실험기기, 항온조, 항온 가열기, 냉각용기기
의료기 항온조, 혈액보관기, 발열기, 냉각용
* 전자 냉각의 장점
소형화 장착용이성 쉬운냉각
동시발열냉각 정밀온도제어가능 고신뢰성저소음
무중력하작동 간편한 전원공급 국소부위냉각가능
열발전용대체 환경친화성  
2.2 열전재료의 온도별 선택




열전재료는 열전특성이 우수한 온도 범위에 따라 상온용, 중온용 및 고온용으로나눌 수 있으며, 상온부근에서 는 (Bi,Te)2 Te3 및 Bi2(Te,Se)3 조성의 Bi2Te3계고용체합금의 열전특성이 우수합니다. 이러한 열전재료들을 이용한 열전 냉각 및 발전 모듈은 n형 열전소자와 p형 열전소자들이 전기적으로는 직렬 연결되어 있으며 열 적으로는 병렬연결된구조를갖습니다.

2-2 열전발전과 열전 냉각
모듈은 양단에서의 온도차에 의해 고온단 부위에서 저온단 부위로 열 이동시 n형 열전소자와 p형 열전소자에서 각각 전자와 hole이 고온 단에서 저온 단으로 이동하므로 써 발전이 가능하며, 열전냉각 모듈은 전류를 흘려주므로 써 carrier의 이동에 의해 한쪽 면에서는 냉각이다른면 에서는 발열이 일어나므로 써 냉각 밑 가열이 가능하게 됩니다.
열전모듈의 효율은 n형 및 p형 열전재료의 열기전력, 열전도도 및 전기 비 저항과 같은 열전특성과 열전소자 couple 수에 의해 결정됩니다.
무 소음, 무진동으로 유지. 보수가 필요 없고, 신뢰성이 높은 열전발전은 초기에는 군사용 전원장치를 비롯한 특수 소형전원장치에의 응용을 위해 개발되었으나, 온도차만 부여하면 발전이 가능하여 100℃ 미만의 저 열원에서 1000℃ 정도의 고열 원에 걸쳐 이용 가능한 열원의 종류가 다양하기 때문에 산업폐열을 이용한 열전발전기, 대체독립전원 등의 분야로 경제적 용도가 크게 확대되고 있습니다.

또한 열전모듈을 이용하여 냉각방식은 열 응답 감도가 높으며 국부적으로 선택적 냉각이 가능하고 작동부분이 없어 구조가 간단하기 때문에 고출력 power transistor,
laser diode 등과 같은 전자부품의 국부냉각에 실용화되고 있으며 자동차용 냉장박스, 가정용 냉장고,
에어컨 등의 민생용으로도 사용이 가능합니다.

또한 최근 환경보호를 위해 자동차나 가정용 에어컨, 냉장고 등에 CFC의 사용이 규제됨에 따라,
냉매의 사용 없이 냉각이 가능한 열전재료를 이용한 각종 냉방 시스템의 개발도 유망한 분야로 각광
받고 있습니다.
일반적으로, 열전모듈용 소자는 열 입력을 크게 하기 위하여 일반적으로 얇은 관상으로 사용하기
때문에 가공시 열전재료의강도가 요구됩니다.
단 결정 열전재료는 기계적으로 취약하기 때문에, 이를 얇은 관상의 소자로 제조시 수율 저하가
가장 큰 문제점으로 되고 있습니다.
2-2 열전발전과 열전 냉각
모듈은 양단에서의 온도차에 의해 고온단 부위에서 저온단 부위로 열 이동시 n형 열전소자와 p형 열전소자에서 각각 전자와 hole이 고온 단에서 저온 단으로 이동하므로 써 발전이 가능하며, 열전냉각 모듈은 전류를 흘려주므로 써 carrier의 이동에 의해 한쪽 면에서는 냉각이다른면 에서는 발열이 일어나므로 써 냉각 밑 가열이 가능하게 됩니다. 열전모듈의 효율은 n형 및 p형 열전재료의 열기전력, 열전도도 및 전기 비 저항과 같은 열전특성과 열전소자 couple 수에 의해 결정됩니다. 무소음, 무진동으로 유지. 보수가 필요 없고, 신뢰성이 높은 열전발전은 초기에는 군사용 전원장치를 비롯한 특수 소형전원장치에의 응용을 위해 개발되었으나, 온도차만 부여하면 발전이 가능하여 100℃ 미만의 저 열원에서 1000℃ 정도의 고열 원에 걸쳐 이용 가능한 열원의 종류가 다양하기 때문에 산업폐열을 이용한 열전발전기, 대체독립전원 등의 분야로 경제적 용도가 크게 확대되고 있습니다.

또한 열전모듈을 이용하여 냉각방식은 열 응답 감도가 높으며 국부적으로 선택적 냉각이 가능하고 작동부분이 없어 구조가 간단하기 때문에 고출력 power transistor, laser diode 등과 같은 전자부품의 국부냉각에 실용화되고 있으며 자동차용 냉장박스, 가정용 냉장고, 에어컨 등의 민생용으로도 사용이 가능합니다. 또한 최근 환경보호를 위해 자동차나 가정용 에어컨, 냉장고 등에 CFC의 사용이 규제됨에 따라, 냉매의 사용 없이 냉각이 가능한 열전재료를 이용한 각종 냉방 시스템의 개발도 유망한 분야로 각광 받고 있습니다. 일반적으로, 열전모듈용 소자는 열 입력을 크게 하기 위하여 일반적으로 얇은 관상으로 사용하기 때문에 가공시 열전재료의강도가 요구됩니다. 단 결정 열전재료는 기계적으로 취약하기 때문에, 이를 얇은 관상의 소자로 제조시 수율 저하가 가장 큰 문제점으로 되고 있습니다.
2-3 열전 재료의 제조법
따라서 열전모듈용 재료로는 가압소결법으로 제조하여기계적 강도가 우수한 고밀도 소결체가 가장 적합한 것으로 알려져 있습니다. 최근 미국, 일본 등에서는 다결정 열전재료의 제조단가를 절감시키기 위해 금속합금의 제조법으로 커다란 주목을 받고 있는 기계적 합금화 (mechanical alloying)공정을 이용한 열전재료의 제조 및 특설에 관한 연구가 활발히 진행 되도 있습니다.

원료분말이 고에너지 볼-밀 내에서의 반복적인 파괴와 압접에 의해 합금분말로 변화되는 기계적 합금화 공정은 상온공정이기 때문에, 이를 사용하여 다결정 열전재료를 제조시 기존의 다결정 열전재료의 제조공정인 용해 및 분쇄법과 비교하여 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있습니다.

지금까지 열전재료에 관한 재료기술과 응용기술은 주로 미국과 러시아에 독점되어 군사적인 용도에 이용되어 왔습니다. 그러나 현재 에너지 자원의 전량을 외국에서 수입에 의존하고 있는 국내 실정에 비추어 볼 때 폐에너지의 유효 이용으로 전기에너지의 절약이 가능한 열전발전 모듈이나 CFC의 사용규제에 따른 전자냉각 모듈의 국내개발이 시급한 실정입니다. 이에 따라 국내에서도 재조단가의 절감이 기계적 합금화 공정을 이용한 열전발전용 PbTe계 및 전자냉각용 Bi2Te3계 열전재료의 제조기술 개발이 필수적으로 요구되고 있습니다.
3. 열전냉각
3-1. Peltier효과
그림 2(a)와 같은 물질 a와 b의 접합회로에 전지를 연결하여 그림 2(b)와 같이 직류를 흘려주면, 한쪽의 접합부에서는 열을 흡수하고 다른 쪽의 접합부에서는 열을 발생하는데 이 현상을 Peltier효과라고 부릅니다. 지금 양 접합부의 온도를 Tj로 유지하고 그 온도에서의 상대열전능 αab 전류를 1로 하면, 단위 시간 내에 접합부가 흡수 또는 발생하는 열량의 절대값 ㅣqpㅣ는
ㅣqpㅣ = αabTj1 = л1 (3-2)
로 표현됩니다. л = αabTj를 Peltier계수라고 부릅니다.
αab가 플러스 일 때 전류가 b에서 a로 흐르는 접합부에서는 흡열 .a에서 b로 흐르는 접합부에서는 발열합니다.
상대 열전능의 부호 또는 전류의 방향이 반대로 되면, 접합부에서의 흡열과 발열의 관계는 반전됩니다.
다시 말하면 열전에너지 변환은 도체 중의 캐리어가 히트파이프나 랭킹사이클 (ranking cycle)과 같이 동작하기 때문에 그림 3에 나타낸 바와 같이 고체 상태 (solid state)에서 열과 전기의 에너지 변환을 가역적으로 행할 수 있습니다.
그러나, 열전에너지 변환 시스템에서는 도체를 따라 흐르는 열류(熱流)에 의한 열 손실과 전기저항에 의한 전력손실이 있습니다.
3-2. 열전냉각, 가열
Peltier 효과는 두 가지의 다른 물질들이 가는 접합을 거쳐 전류가 흐를 때 일어나는 열의 방출과 흡수를 의미합니다.
전류가 어떤 한 방향으로 흐를 때 열이 발생됩니다만 전류가 그 반대방향으로 흐르면 열을 흡수하기 때문에, Peltier 효과는 가역적입니다.
접합에 전류가 흐르면 도체에 전류가 흐를 때 생기는 Joule 열 효과에 추가하여 Peltier효과에 의한 열 발생이나 흡수가 발생합니다.

우리는 금속과 n형 반도체간의 ohmic 접합을 거쳐 전류가 흐를 때에 어떤 현상이 발생할 것인가를 생각하면 Peltier 효과를 쉽게 이해할 수 있습니다.
전자가 금속에서 반도체로 흐를 때 금속의 Fermi 준위에 있는 전자들이 반도체의 전도대로 움직여야 합니다. 따라서 전도전자들은 금속에서 반도체로 움직일 때 평균운동에너지가 △E만큼 증가되어야 합니다.
이 운동에너지의 변화는 열의 흡수로 생깁니다.
즉, 열에너지가 전자의 평균 운동에너지를 증가시키는 데 이용됩니다.
또한 Fig 2-3에서 전류를 반대 방향으로 흘려주는 경우에는 전자의 운동에너지는 △E만큼 감소되고 그와 관련된 열이 발생합니다.
전자들이 접합을 지나갈 때 평균운동에너지가 변화되기 때문에 전류의 방향에 따라서 열이 흡수되거나 발생되는 것을 알 수 있습니다.
가역 적인 Peltier 효과는 ohmic접합에서도 전류의 방향에 따라 흡열 및 발열 현상이 일어나며 이러한 Peltier 효과에 의해 흡수 및 방출되는 열량 |Qp| 는 식 (2.4)로 표현됩니다.
|Qp| = PA-BㆍI=αA-BㆍI ㆍT (2.4)
식 (2.4)에서 PA-B =αA-B ㆍT를 Peltier계수라고 합니다.
Peltier효과는 열전냉각과, 가열 및 열전발정의 기초이론이 됩니다.
서로 다른 물질간의 접합을 포함하는 회로에 전류가 흐를 때 Peltier효과에 의해 저온 부에서 고온 부로 열이 운반될 수 있습니다. 만일 이와 같은 접합을 다수직렬로 연결하면 열전 냉장고를 만들 수 있습니다.
이와 같은 열전 냉장고는 냉매를 사용하는 기존의 냉장고에 비해 비교적 비효율적이며 Joule 열의 발생에 의해 고전류에서는 작동시킬 수 없지만, 소음이 없고 소형화가 가능하기 때문에 특수용도로 사용될 수 있습니다.
3-3. Thomson 효과
조성이 균일한 물질이 있고, 그림 2(c)와 같이 좌측 끝을 저온 Tcj, 우측 끝을 고온 Thj로 유지하고, 온도구배가 있는 길이 L방향을 따라 직류를 흘리면, 이 물질의 내부에는 흡열 또는 발열 현상이 발생합니다. 이는 물질의 절대 열전능 α가 온도에 따라 다르게 되기 때문에 발생하는 현상으로 Thomson효과 라고 부릅니다. 온도구배를 dT/dL, 전류밀도를 J라고 하면, 단위체적당 단위 시간 내에 흡수 또는 발생하는 열량의 절대값ㅣqTㅣ는
ㅣqTㅣ = τJdT/dL (3-3)
로 표현되며, τ를 Thomson계수라고 부릅니다.τ와 절대 열전능 α와의 사이에는
τ = T dα/dT (3-4)
의 관계가 있습니다. 이론적으로는 이 식을 이용하여 τ의 값에서 절대 열전능 α를 구할 수 있느나, Thomson열의 측정은 매우 어렵습니다. 열전능이 온도가 상승함에 따라 크게되는 물질의 τ의 부호는 플러스로, 그림 2(c)와 같이 고온단으로 향하여 전류가 흐르면 물질내부에서는 열의 흡수가 있고 τ의 부호 또는 전류의 방향이 반대가 되면 열의 발생이 있습니다.

달리 말하면 Fig 2-4와 같이 조성이 균일하고 온도기울기가 있는 n형 반도체재료의 저온 단에서 고온 단 으로전자들이 이동하도록 전압을 걸어주면, 이동하는 전자들은 자발적으로 막대로부터 열을 흡수하여 열전냉각효과가 일어난다. 만일 전압을 반대로 가하여 전자가 고온 단에서 저온 단으로 걸어준 전압에 따라서 이동합니다면 이 전자들은 막대에 대해서 열을 버려야 할 것입니다. 이러한 현상은 재료의 절대열전능 α가 온도에 따라 다르기 때문에 발생하는 현상으로써, Thomson 효과라고 합니다.
제 2 절 성능지수 (Z, figure-df merit)
Fig.2-5에 나타낸 전자냉각 및 발전 분야에 응용되는 열전모듈의 에너지 변환효율은 n형과 p형 소자에 의해 이루어지는 couple의 수와 각 소자들의 열전특성에 의존하면, 우수한 열전특성을 갖는 소자를 사영할 때 모듈의 크기를 줄일 수 있습니다. 열전 특성은 각 재료의 Seebeck 계수, 전기비저항 및 열전도도가 미치는 영향에 대해서 살펴보기로 하자. Fig.2-5와 같이, 같이, 길이 단면적, Seebeck 계수 전기비저항 및 열전도도가 각각 lA, sB, αB,ρA, κB인 열전재료 A와 B를 이용하여 전기적으로는 직렬로, 열적으로는 병렬로 회로를 구성하여 모듈 양단의 온도차를 △T(=Th - T c)로 유지하였다. 이때 모듈의 고온 단에서 흡수되는 열량 Qα 와 joule열의반인 (1/2)QJ와의 합이 Peltier 효과에 의한 열QP와 열전도에 의한 방출되는 열량 QK의 합과 같으므로 식 (207)과 같은 관계가 성립합니다.
식 (2.7)에서 Peltier 효과에 의한 열량은 식 (2.4)와 Ohm의 법칙에 의해 식 (2.8)과 같이 나타낼 수 있습니다.

QK= K·△T (2.10)
여기서, K는 모듈에서 두 접점사이의 열전도율입니다.
식 (2.8)~ (2.10)을 대입하여 식 (2.7)을 Qα에 대하여 정리하면 다음과 같다.
또한,온도차 △T에 의해 발생하는 전력 P는 다음과 같다
따라서, 열전발전 효율 η는 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.
식 (2.13)에서 Z는 다음과 같다.
식 (2.14)에서 효율이 최대가 되는 m의 값 mopt= M에 대하여 정리하면,
로 주어지며, 식(2.15)에 따른 최대효율 ηmax는 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.
식 (2.15)와 식 (2.16)에서 알 수 있듯이, 열전변환 효율을 크게 하기 위해서는 Z의 값을 크게 해야 합니다. 식(2.14)에서 (R.K)항이 작아야 하므로 다음식이 성립되어야 합니다.
식 (2.17)의 조건이 만족될 때, 식 (2.14)는 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.
이때 Z는 Seebeck 계수 α, 전기비저항 ρ 및 열전도 k의 재료정수만으로 결정되며, 하나의 재료에 대해서도 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.
즉 열전재료의 에너지 변환효율을 최대로 하려면 다음의 3가지 요소를 만족해야만 하며[18.19], Z를 성능지수(figure-of-merit)라고 하여 열전재료의 양호도를 나타내는데 쓰여진다.
① 소자에 형성된 온도차는 클수록 좋으므로 열전도도(k0가 작을수록 좋다.
② 출력전압은 클수록 좋기 때문에 Seebeck 계수 (α)는 클수록 좋다.
③ 큰 출력을 내기 위해서 내부저항과 소자의 전기비저항(ρ)은 작을수록 좋다.

Peltier 효과를 이용한 전자냉각의 경우에서도 이론적 고찰은 열전발전과 거의 유사하며, 마찬가지로 냉각효율을 크게 하려면 성능지수 Z를 크게 해야 합니다.
3-3 성능지수의 최적조건
열전재료의 성능의 척도는 Z(Figure of 로Merit)로 나타내며, 성능지수는 Seebeck 계수 (α), 비저항 (p)및 열전도율 (k))의 관계로 주어진다.
Z = α2/ p·k (3-29)
위의 식으로부터 높은 성능지수를 얻기 위해서는 Seebeck계수가 높고 비저항과 열전도율이 낮아야 하는 것을 알 수 있습니다.

그러나 이들의 물리정수는 독립적이 아니고 캐리어 (carrier, 전자 또는 정공) 농도에 관계가 있어, 열전능과 비저항은 전자농도 n의 증가에 따라 감소합니다. 또한 열전도율은 일반적으로 전자의 열전도율 kel와 격자의 열전도율 kph로 되어있고
k = kel + kph = LTρ + kph (3-30)
나타낸다. 여기서 L은 로렌쯔 상수이며, ρ=(1/-p)은 전기전도도입니다.

그러나 kel은 캐리어 농도 nc 에 의존하지 않고 일정합니다. 성능지수가 최대 값을 나타내는 전자농도는 약 1025/m3l의영역이며 금속의 전자농도의 거의 1/1000입니다. 이 영역에서의 ke은 단원소 반도체 (Si,Ge) kph의1%이하로 작고, 또한 화합물 반도체 kph의10%정도입니다.
따라서 전자농도가 작은 영역에서, 성능지수가 최대치를 보이는 전자농도는 출력인자(=α2σ)의 극대치와 비교해 거의 변하되지 않습니다. 이러한 정성적인 고찰로 부터 성능지수가 큰 물질은 적당한 불순물의 첨가에 의해 캐리어농도를 적당히 제어하여야 합니다.
또한 열전도율은 비데만프란쯔 법칙(Wiedemann-Franz law)을 따르기 때문에 비저항과의 독립된 제어가 어렵지만, 격자의 열전도율을 제어함으로써 전체 열전도율을 낮출 수 있습니다. 따라서 높은 에너지를 갖는 고진동 포논 (phonno)이 격자의 불규칙한 장소에서 강하게 산란되도록 조성 및 첨가제의 양을 변화시켜 이종재료의 고용체화에 의해 격자의 열전도율을 저하시킬 수 있습니다.
뿐만 아니라 고온에서는 열의 대부분이 낮은 에너지를 갖는 저진동 포논(phonno)에 의해 운반되고 이 포논은 개리어나 다른 포논과 열전도율을 감소시킨다.
비교적 큰 결정입경을 갖는 다결정 체에서는 단위체적당 결정입계 면적이 작고 결정입계간의 거리도 입계산란의 자유행로 보다 크다.
이 경우 온도 이하에서 열의 대부분을 운반하는 저진동 포논의 입계산란은 적고이 효과에 의한 격자의 열전도율의 저하는 적다.
그러나 미세결정립은 결정이나 소결체에서는 입계산란에 의해 열전도율이 저하되는 효과가 생기고, 이러한 입계산란에 의한 격자의 열전도율 κph은결정입경의 감소에 반해 작게 되며, 이 감소량은 결정입경이 작을수록 현저하다. 따라서 이종재료의 고용체 화와 결정립 미세화로 격자열전도율을 감소시킴으로써 성능지수를 증가시킬 수 있습니다.
3-4.Bi2Te3((비쓰무쓰 텔레늄 합금 )
Bi²Te³계 열전재료는 그림 5에서 보는바와 같이 단체금속과 dopsnt의 혼합물을 융용하여 일방향응고 시키는 방법과 인고트를 분말화하여 얻은 분말을 이용하는 냉간 프레스 소결법과 열간프레스법에 의해 제조돠고 있습니다.

일방향 응고제는 뛰어난 열전특성을 나타내고 있지만 온도구배, 성장속도등 제조조건이 어려울 뿐만 아니라 낮은 기계적 강도를 갖기 때문에 낮은 생산성과 소형의 소자 가공시 재료손실이 많은 단점을 갖고 있습니다. 이러한 단점을 해결하지 위하여 분말야금법이 도입되었습니다.
그러나 지금까지는 기계적 강도의 향상만을 고려하여, 분말을 냉간프레스한 성형체를 소결하는 냉간 프레스한 성형체를 소결하는 냉간프레스법이 이용되어져 왔습니다.
그러나, Bi²Te³계 화합믈은 특유의 구조민감성 때문에 냉간프레스한 변형에 의해서 열전능은 현저하게 작아지며 p형 Bi²Te³을 분말성형체로 하면 n형으로 변하며, 또한 열처리조건에도 민감하여 소결온도가 약간 달라도 p형으로 n형으로 변화하기 때문에 열처리조건의 설정에 어려운 점이 많습니다.
더욱이 냉간프레스법에서는 고온소결에 의해서 소결체의 곁보기밀도와 이론밀도의 비를 90%이상으로 하면 결정립의 성장 및 칼코겐원소(Te,Se)의 증발에 의한 조성의 변화가 발생 하여 열전특성의 제어가 매우 곤란하였습니다.
따라서 냉간프레스법으로 제조한 Bi²Te³계 소결체는 시판되고 있는 일방향 응고에 의한 용제재료의 열전성능지수(Z=2.5×10-³K-¹)보다 높지 않으므로 현재까지 열전냉각, 가열용 재료로서 실용화되지 않고 있습니다.
한편, 열간프레스법에서는 압력을 가하면서 소결을 행하기 때문에 소결온도가 낮아도 90%이상의 소결체를 용이하게 제조할 수 있으며, 냉간프레스법에 비하여 저온에서 소결이 가능하여 결정립성장을 억제할수가 있습니다.
또한 Bi²Te³의 벽개면 이 c면이라는 점에 주목하여 열간프레스법에 의한 소결체의 가압방향에 각 결정립의 c축이 되도록 제조한 결과, 열전기적 수송현상에 있어서, 결정 대칭성을 반영한 커다란 이방성이 관찰됩니다.
이러한 이방성을 이용하여 높은 열전특성과 높은 기계적 강도를 갖는 열간 프레스 법에 많은 연구가 진행되고 있습니다. 그러나 열간프레스볍에 의한 제조 방법에 있어서도 절단의 공정에 의한 생산성 저하와 제조원가 상승 등은 실용화 측면에서 큰 결점으로 남아있습니다.
3-5. 전기전도도
전자전도성 반도체의전기전도도는 식 (2.20)과 같이 나타낼 수 있습니다.
σ= neu (2.20)
여기서,n은 전하의 농도, e는 단위 전하량,u는 전하의 이동도입니다. 전하의 농도는 온도의 증가에 따라 Fig. 2-6과 같이 세 영역으로 구분되어 나타난다. 영역 Ⅰ은 진성반도체의 결함들이 열에너지에 의해 이온화되는 영역으로서 전하의 농도가 온도에 따라 증가하는데 주로 저온에서 나타나다. 영역 Ⅱ는 전하의 농도가 완전히 이온화된 자체의 결함농도에 의해 고정되는 extninsic 영역입니다. 영역Ⅲ은 열에너지에 의해 전자-전공 쌍이 생겨 전하의 농도가 온도에 따라 지수 함수적으로 증가하는 intrinsic 영역입니다. extninsic 영역에서는 전하의 농도가 거의 일정하다고 볼 수 있으므로 전기전도도는 이동 도만의 함수로 나타난다. 전하의 이동도는 결정 내에 존재하는 결함보다는 격자진동과 이온화된 impurity에 의한 사항 일 경우, 온도의 1/2승에 비례합니다.
3-6. 열전도도
원자의 삼차원주기적 배열을 가진 결정질 재료 내에서 열에너지의 전달은 일반적으로 포논 (phonon), 자유전자 또는 정공 (free electron or hole),전자와 정공의 쌍, ecxiton (bound electron-hole pair),photon (radiant energy)등의 매체에 의해서 이루어지며, 재료가 도체인 경우에는 일반적으로 위에 기술한 여러 가지 매체중 열전도에 크게 기여하는 전하(ccarrier)와 포논만을 고려합니다[26]. 이에 따라 재료의 열전도 도는 식 (2.21)과 같이 나타낼 수 있습니다.
ktot=ke+kph (2.21)
식(2.21)에서 ktot는 전체 열전도도, ke은 carrier에 의한 열전도도, kph은격자진동에 의한 열전도 도로써 포논이란 결정 내에서의 격자진동을 양자화 시킨 것으로 가상적인 입자로 생각합니다.포 논의 산란은 다른 포논과의 충돌, 전자와의 상호작용 및 격자 결함에 의해 발생합니다. 격자 열전도도에 영향을 미치는 주요 결함의형태로는 결정립계,전위, 합금과 불순물의 고용 등에 의해 발생하는 격자 변형을 들수 있습니다. 포논-포논 산란은 저온계 에서는 매우 약하기 때문에 저온에서는 격자 결함에 의한 포논 산란이 지배적으로 작용합니다. 이와 같은 포논 산란처는 전하의 산란을 유발하기 때문에 전하에 의한 열전도도 ke에도 영향을 미치며 전기 전기 전기 전도도에도 영향을 미친다. 이러한 전하에 의한 열전도도와 전기전도도 사이에는 고전 전자이론의 가장 중요한 결과중의 하나인 Wiedeman-Franz 법칙이 성립하여[20-22],전하의 농도가적은 nondegenerate semiconductor의 경우 식(2.22)와 같이 표현되며 전하의 농도가 충분히 많은 degenerate semiconductor에서는 식 (2.23)으로 표현됩니다.
여기서, k는 Boltzmann 상수, L은 Lorenz 상수입니다.
제 4 절 열전재료 개발 현황
현재까지 개발된 열전재료 중에서 사용 온도구간에 따라 성능지수가 우수한p형 및 n형 열전재료를 Fig 2-7에서 보는 바와 같이 [22]상온부근에서는 Bi-Te계의 성능 지수가 가장 우수하며 중온부근에서는 PbTe계 열전재료가 우수함을 알 수 있습니다. Bi2Te3계의 경우, Ⅴ-Ⅵ족 화합물 중에서 가장 오래 전부터 관심을 끌어왔던 재료로써, 그 성능지수를 향상시키기 위하여Bi2Te3계에 Bi2Se3를 고용시킨 조성에 대햐여 많은 연구가 이루어지고 있으며, 전자냉각소자용으로 관심을 모으고 있습니다. 중온부근에서 성능지수가 우수한 PbTe계 열전재료는 열전발전 분야에 응용되고 있습니다.
4-1.Bi2Te3계 고용체 합금
Fig 2-8에 나타낸 바와 같이, Bi2Te3는공간군 R3m에 속하는 조밀육방격자의 결정구조를 갖는 층상의 형태를 가지며[27], 격자상수는 a = 0.4385nm, c=3.0483nm를 갖는다.[28]. Sb2Te3와 Bi2Se3도Bi2Te3 와 같은 결정구조를 가지며 전조성 범위에서 완전한 고용체를 형성하며,Sb2Te3와 Bi2Se3 의 격자상수는 각각 a =0.4262nm,c =3.045nm과[29] a = 0.4139nm, c=2.8636nm입니다 [30] Fig 2-7과 같이 Bi2Te3계 합금은 c축에 평행하게 Te⑴-Bi-Te⑵-Bi-Te⑴-???- Te⑴-Bi-Te⑵-Bi-Te⑴의 배열을 갖는 층상구조를 가지고 있습니다.
여기서 Te⑴-Bi(0.174nm)는 공유결합과 이온결합의 혼합결합을 이루고 있고, Te⑵-Bi(0.2204nm)는 순수한 공유결합을 하며 Te⑴-Te⑴(0.260nm)은 Van der waals 결함을 이루고 있습니다. 따라서 가장 약한 결합력을 갖는 Te⑴-Te⑴이 용이하게 끊어짐에 따라 c축에 수직한 방향으로 벽개면이 형성되어, (0001)면을 따라서 쉽게 쪼게 지는 기계적 취약성을 나타낸다[27.31.32]. 또한 Bi2Te3계의 구조는 c축이 a축에 비해 약 7배 정도 길기 때문에 결전방향에 따라 전기적, 열전특성이 다른 이방성을 나타낸다. Seebeck 계수는 결정방향에 따라 큰 변화가 없다고 보고되고 있으나, 저기 전도도 및 열전도도는 큰 이방성을 가진다고 보고되고 있습니다.[9] Drabble 등에 의하면 p 형의 경우 벽개면 에 평행하게 배열되었을 때 수직방향에 비해 전기전도도가 2.7배 크며, n형의 경우에는 4.75배 크다고 보고되고 있으며, 열전도도 역시 2.1배 크다고 보고하였다. [33]. 따라서 Bi2Te3계 합금은 c 축에 수직한 방향으로의 열전도도가 평행한 방향에 비해 높은 이방성을 나타내기 때문에 c축에 수직한 방향으로 결정이 우선 성장됩니다.
4-2) 상태도
Bi2Te3 Sb2Te3 및 Bi2Se3의 상태도를 Fig 2-9에 나타내었다[34]. 상태도에서와 같이, 매우 좁은 비화학양론적 조성범위를 갖는 Bi2Te3 Sb2Te3 및 Bi2Se3의 용해온도는 각각 585℃, 617℃ 및 706℃이며, Sb2Te3는Te-rich한 조성에서 각각 413℃와 424℃에서 공정반응이 일어납니다. Fig 2-10에 Bi2Te3 Sb2Te3와 Bi2Te3-Bi2Se3의 의이 원계 상태도를 나타내었다[35,36]. 그림에서와 같이 Bi2Te3에 Sb2Te3 및 Bi2Se3를 첨기할 경우, 각각 Sb 원자가 Bi원자를 치환하거나 Se 원자가 Te자리를 치환하면서 전 조성범위에서 완전한 고용체를 형성하므로 결정격자의 주기성은 유지되지만 합금화에 따 른 격자의 변형 때문에 phonon 보다 파장이 긴 carrier 의 산란보다는 단파장의 phonon을 산란시켜 격자열전도도를 저하시켜 성능지수를 향상시킬 수 있습니다.

따라서 최근의 연구는 Bi2Te3에 Sb2Te3를 고용시킨 p형과 Bi2Se3를 고용시킨 n형에 대한 연구가 활발히 이루어지며 의삼원계 화합물에 대한 연구도 활발히 진행중입니다. 열전재료의 효율을 크게 하기 위해서는 성능지수가 켜야합니다.
식 (2.19)에서와 샅이 성능지수(Z)는 Seebeck 계수 (α)가 크고 전기비저항 및 열전도도가 작을수록 높은 값을 나타 냅니다.
p형의 경우 일반적으로 정공의 농도 변화에 따라서 Seebeck 계수와 전기비저항이 함께 변하게 됩니다. 전공농도의 감소에 따라 Seebeck 계수는 증가되고 전기비저항의 역수인 전기전도도는 작아집니다. 따라서 높은 (α2?σ)값을 얻기 위하여 정공농도를 최적으로 만들어 주어야 합니다.
열전재료의 성능지수를 향상시키는 또 다른 방법으로는 열전도도를 낮추는 방법입니다.
열전도도(k)는 식 (2.21)와 같이 전하에 의한 열전도도(ke) 와 격자 열전도도(kph)의 합으로 나타낼 수 있습니다.

loffe에 의하면 격자 열전도도는 고용체를 형성하였을 때 최소화할 수 있다고 하였으며[39], Birkholz, Rosi등은 단결정 (Bi1-xSbx)2Te3 의 고용체에서 x = 0.7부근의 조성에서 격자에 의한 열전도도는 최소값을 나타낸다고 보고하였습니다.
즉, x = 0.7부근의 조성이 단결정 Bi2Te3계에서 최적의 p 형조성임을 알 수 있습니다.
실제 Smirous등에 의하면 (Bi0.25Sb0.75)2Te3 조성에 4Wt% 과잉 Te첨가 및 0.054Wt% Ge첨가에 의해 3.58×10-3/K의 성능지수의 향상을 보고한 바 있습니다.
반면에 Sb2Te3-rich 조성영역에서는 높은 성능지수를 얻기에는 정공의 농도가 너무 높기 때문에 donor dopant로서 Te 및 Se를 미량 첨가하여 (α2?σ)값을 최적화하므로 써 성능지수를 향상시킵니다.
또한, n형의 경우 Birkholz,Rosi,Goldsmid 등에 의하면 Bi2(Te-ySey)3 고용체 형성시 대략 y =0.2~0.25 까지 격자열전도도 kph 가 감소하는 것으로 보고되고 있습니다.
4-3) PbTe 합금
열전 device용 화합물반도체가 개발되기 시작하돈 1950년대 후반에 이미 PbS PbTe가 중온영역에서 열전측성이 우수하다는 것이 알려져 있었기 때문에 PbTe계 열전반도체는 미국의 SNAP(System for Nuclear Auxiliary Power)계획에서 중심적인 재료로 사용되었으며, 1969년에 발사된 Nimbus 위성이 열전발전기에 Pb-Te계 열전재료가 최초로 사용되었습니다.
그 이후에 Pioneer,Viking 등에 탑재되어 우주에서의 열전발전을 실현하게 되었습니다.
Fig. 2-11에 나타낸 바와 같이 PbTe는 주로 공유결합으로 이루어진 rock sait 구조를 가지는 반도체로써 순수한 PbTe 화합물은 Fig. 2-12에 나타낸 상태도 [34]와 같이 924℃의 융용점을 가지며 38.113 Wt%의 Te를 함유하고 있습니다.
Fig 2-13과 같이PbTe 고용체는 고온에서는 Pb와 Te와 상호간의 용해도가 큰 반면 온도가 낮이지면서 용해도가 감소하는 특성을 나타내고 있습니다.
따라서 화학양론적 조성에서 벗어나면서 공공이나 격자간 원자 등 여러 가지 형체의 결함들이 격자 내에 생성되게 되는데 이러한 결함들이 전기전도에 큰 영향을 미치게 됩니다.
일반적으로 PbTe는 고용체에서 과잉 첨가된 원자는 결정 내로 확산하여 식 (2.24)와 같이 공공을 채워주게 됩니다.
따라서 Pb를 과잉으로 첨가할 경우 PbTe는 n형전도를 나타내며, Te을 과잉으로 첨가할 경우 p형전도를 나타내는데 n형이나 p형 모두 약 3×1017/㎤ 정도의 낮은 전하 농도를 갖기 때문에, 전하 농도를 증가시키므로 써 성능지수의 향상을 위해서 K,Na, Ti같은 p형 dopant 나 Bi, I 와 같은 n형dopant를 첨가하여 전하 농도를 1019/㎤ 으로 증가시켜야 합니다.

PbTe계 재료는 소자의 효율을 최적화하기 위해 다원계 합금화에 의해 열전도도를 감소시킵니다.
즉 n형 열전소자의 경우에는 PbTe-GeTe 다원계에 도너농도를 증가시키기 위해 도펀트로 PbI2, PbCI2, Bi2Te3, Ge2Te3를 첨가시킵니다.
p형 열전소자는 PbTe-SnTe로 고용체화 하여열전도도를 낮추며, 억셉터 도펀트로 Na2Te, K2Te를 참가하여 전기 전도도를 증가시킵니다.
FIg. 2-14에 PbTe-GeTe 합금의 상태도를 나타내었습니다.
상태도에서와 같이 20 mol% PbTe조성 695℃에서 단순한 공정반응이 일어남을 알 수 있습니다.
PbTe와 같은 결정구조를 갖는 GeTe의 용융점은 724℃로써 PbTe의 924℃보다 낮으므로 PbTe-GeTe고용체의 용융점은 924℃이하입니다.
따라서 용해 법으로 PbTe-GeTe고용체를 제조할 경우 Ge의 용융점인 937℃이상의 온도로 하면 PbTe-GeTe고용체를 얻을 수 있습니다.
냉각시 유의할 점은 용융 후 서냉할 경우 조성이 불균일해 질 수 있기 때문에 급냉하는 것이 필요합니다. 또한 GeTe의 밀도는 6.14g/㎤로 PbTe의 8.25 g/㎤에 비해 가벼우며 ,보고된 격자상수는 GeTe가 0.598nm로 PbTe의0.646nm보다 작습니다.

 

열전소자에 사용되는 전원공급기라 하는 것은 가정용 220 V를 이용하여 DC 전용인 열전소자를 사용하기 위하여 직류전원(DC)로 바꾸어 주는 장치입니다.
엄격히 말하면 AC-DC 컨버터라고 불러야 합니다만 흔히들 전원가 갖추어야 할점은 적은 부피, clean D.., 저렴한 가격, 입력전원의 free Volt, 내구성등입니다. 어느 것 하나 중요한 것 아닌 것이 없지만은 그래도 엔지니어라면은 최대성능의 최저 가격을 생각하셔야겠지요.

당사가 공급하는 전원 공급기.는 뛰어난 내구성과 전원공급기가 가져야할 필요성을 충분시키는 제품으로서 입력전원은 85Volt에서 225Volt 까지 어디서나 사용이 가능하며, RIPPLE 이 0.01 % 이내를 자랑하는 최선의 전원공급기입니다.
열전소자의 사용에서는 리플문제가 상당히 심각하게 대두되며 리플을 제거한 전원공급기가 가장 열전소자의 효율울 뛰어나게 합니다.
이제 뛰어난 기술력의 ACETEC(주)의 열전소자 전용 전원공급기를 만나보십시오.
전원공급기의 종류
가. 어뎁터 : 화장품 냉장고나 열전소자 관련 가정용품에 가장 많이 사용되는 전원공급기 입니다.
세계 어느곳의 전원이라도 수용가능한 프리볼트이며 간편한 사용에 따라 고객들께서 가장 많이 선호 하시는 전원공급기입니다.
품명 입력 출력 해당열전소자 인증내역
PS3A12V AC100~250
(가정용전원)
DC 3A/12V HM3340, HMN3340, HMN3930 UL,SA,CE
PS5A12V DC 5A/12V HM6040, HMN6040
나. 트랜스포머 : 흔히들 도란스라고 이야기 하시기도 합니다.
이 시스템의 장점은 값싸고 제작자의 의도대로 쉽게 구현할수 있다는 장점도 있습니다.
아울러 이 트랜스포머형식은 열전소자를 다량 사용하고 한번의 테스트나 시제품을 위해서 전원을 공급코자 하실 경우에 고압,고 암페어의 직류전원공급기(SMPS)는 상당한 고가격을 대체할 유일한 대안이 될 수 있습니다.
그러나 외부입력전압의 변동에 따라 출력의 DC 전압이 변동되는 단점이 있어서 가정용이나 공장용 전압은 일정하지는 않은 상황에서 정밀한 제어나 실험의출력 전압,전류에 변동이 올수 있습니다.
다. SMPS : 열전소자의 전원공급에 있어서 가장 권해 드릴만한 AC-DC 컨버터입니다. 외부전압의 변화와 관계없이 출력전압을 일정하게 유지하며 제품의 노이즈를 거의 제로에 가깝도록 유지하는 제품입니다.
1. 일반적 기능 및 특징
1)S.M.P.S는 AC전원을 변환 필요한 DC전원으로 공급하는 장치로서 당사제품의 주재료 및 부품은 U/L 및 CSA규격에 만족하도록 규격품 또는 동등품이 사용되어 진동 및 충격에 견딜 수 있도록 견고하게 부착되어 있습니다.
아울러 P.C.B는 FR4, 1.6T를 사용했으며 내, 외부 방열판 및 케이스는 방열효과가 뛰어난 알루미늄으로 제작 되어 있고 자연대류에 의한 방열이 가능하게 설계되어 있습니다. (200 WATT이상은 강제방열)
2.전기적 특징
(1)입력조건
(가) 입력전압은 FREE VOLTAGE, AUTO SELECTOR, SELECTOR, SELECTOR TYPE 등이 있습니다. 각 제품마다 입력전압에 관한 경고문이 부착되어 있습니다.

(나)입력 FUSE
제품에 내장되어 있는 FUSE가 단신(OPEN)되었을 때는 내부회로 및 소자에 이상이 발생되어 있으므로 FUSE 교환으로는 복구가 불가능할 경우가 있습니다. 이대는 당사의 A/S조치를 받아야 합니다.
당사의 A/S기간은 제품수명기간과 동일합니다 .(1 년간 무상A/S보장 )
(다)입력전압 변동율
최대출력부하 상태에서 입력전압을 변동시(85-264VAC)출력전압은 ±0.4%이하의 변동 율을 보입니다.
(라)연속 ON/OFF
220V입력, 최대출력부하에서 입력전원 ON/OFF를 5초 간격으로 100회 이상 실시하여도 출력의 변화는 없습니다.
(2) 출력조건
(가)출력전압 가변범위
● 출력전압은 공장출하시 조정되어 있으므로 가급적 조정 없이 사용하여야 하나 꼭 필요시는 출력전압의 2%내에서 조정하여 사용하시기 바랍니다.

(나)과전압 보호(O.V.P)
출력전압이 정격을 기준이상 초과하면 O.V.P가 작동하여 자동적으로 출력이 차단됩니다.
부하(원인)제거후 입력을 재투입시키면 제품의 이상이 아닐 경우 재 동작합니다.
● O.V.P전압은 고정이므로 변경은 당사에서만 가능합니다.

(다)과전류 보호(O.C.P)
출력부하가 정격을 기준이상 초과하면(SHORT등) 출력은 자동적으로 차단되며 출력이 정상상태가 되면 자동 복귀합니다. (출력 단락 보호)

(라)RIPPLE NOISE(잡음)
RIPPLE NOISE의 측정은 부하의 유무에 관계없이 전원의 출력단자에서 행해지며 OSILLOSCOPE PROBE양단에 0.47uF FILM 컨덴서와 47uF전해 콘데서를 병렬로 연결합니다. 당사제품의 RIPPLE NOISE는 출력전압×1%+50(DC100MHz)mVp-p이하입니다.

(마)누설전류
AC220V입력상태에서 각 입력과 케이스간의 누설전류는 2mA이하입니다.

(바)출력DERAYING
출력전력은 주위온도에 따라 달라지므로 주의하시기 바랍니다. 당사제품의 온도(주변환경온도)에 따른 출력은 주변환경온도50℃에서는 100%, 70℃에서는 30% 이내로 경감하여 사용하시기 바랍니다.
3. 절연
(1)절연저항 - 입력: 케이스, 출력: 케이스, 입력:출력간 - DC 500V메가로 100Mohm이상

(2)절연내압
  가) 일반제품 - 입력: 케이스, 입력: 출력- AC1,500V/10mA 60초, 출력: 케이스 -AC 500V/10mA 60초
  나) U/L또는 CSA 인증제품- 입력: 케이스, 입력: 출력- AC3.0KV/10mA60초
4.실장
(1)자연방열 - S.M.P.S는 방열에 따라 효율의 차이가 크므로 통풍 및 방열에 주의하여야 합니다.
특히 여러 대를 동시에 사용할 경우에는 충분한 간격을 유지해야 합니다.

(2)강제방열 - FAN이나 기타 강제방열 장치를 사용하면 효율을 높일 수 있습니다.
(3)취부 - 배면 및 측면취부가 가능하며 별도의 취부용 BRAKET가 있습니다.
75WATT이상은 제품에 포장되어 있으며 75WATT미만은 별도 판매입니다.
5.입출력단자배선
(가)입력 측의 외부 서어지 전압이 출력 측에 유도되지 않도록 입력 선과 출력 선은 반드시 분리하여 배선하여야 합니다.
(나)출력 측에 짧게 꼬아서 사용하시면 노이즈감쇠 효과가 있습니다.
(다)출력 측에 소용 량의 콘덴서를 부착하면 노이즈감쇠 효과가 있습니다.
(라)FG단자는 안전 및 NOISE 방지용이므로 접지에 고정하여야하나 샤시GND를 사용하고 있을 경우에는 별도의 대책이 필요 없습니다.
INPUT TYPE MODEL(OUT OUT WATT) REMARK
FREE VOLT 15WATT, 30WATT, 50WATT일부(50SO5A, 50S12A, 50S24A) 85-264VAC
AUTO SELECTOR 100WATT일부(100SO5), 150, 200, 300WATT 85-264VAC
SELECTOR 50WATT(50SO5A, 12A, 24A제외) 75WATT
100WATT(100SO5제외)
85-132VAC
170-264VAC

 

 Ⅰ. 히트파이프와 기초 이론
     (Fundamental Principles of Heat Pipes)

 

히트파이프는 밀폐용기 내부의 작동유체가 연속적으로 기-액간의 상변화 과정을 통하여 용기 양단 사이에 열을 전달하는 장치로 잠열(latent heat)을 이용하여 열을 이동시킴으로써, 단일상(phase)의 작동유체를 이용하는 통상적인 열 전달 기기에 비해 매우 큰 열 전달 성능을 발휘 합니다.

히트파이프의 기본적인 구조는 밀폐용기, 작동유체와 용기내부의 모세관(wick)으로 이루어지며, 외벽의 재료 및 작동유체의 종류, 모세관 구조물의 종류, 액체의 귀환(return) 방법, 내부의 기하학적 형태, 작동온도 등에 따라 다양하게 분류 된다.

액체의 귀환이 윅에 의하여 이루어지는 경우를 ‘히트파이프’라 부르나 중력, 원심력등 여러 가지 방법에 의하여 이루어지기도 하며 통칭하여 ‘히트파이프’라 부르기도 합니다. 표 1은 액체의 귀환방법에 의한 히트파이프의 구분입니다.
Methods of condensate return Type
중력 열사이펀
모세관력 표준형 히트파이프
구심력 Rotating hear pipe
정전기력 Electrohydrodynamic heat pipe
자력 Magnetohydrodynamic heat pipe
삼투압력 Osmotic heat pipe
기포력 Inverse thermosyphon

표 1 작동유체의 귀환방법에 의한 히트파이프의 구분

히트파이프는 작동하는데 별도의 동력원을 필요로 하지 않으며 그 자체가 어느 정도의 하중을 견딜 수 있는 구조물로서의 역할을 할 수 있으므로, 재래의 열 전달 기기에 필요했던 부가적 중량과 부피를 감소할 수 있습니다.
히트파이프의 작동온도는 봉입되어 있는 작동유체의 종류에 따라 정해지고, 그 액상과 기상이 공존하는 범위 이내여야 합니다.
작동유체의 온도범위는 고체와 액체 그리고, 기체가 공존하는 3중점(triple point)부터 임계점(critical point)사이이며 작동유체는 항상 그림의 기-액 상변화 선도의 포화 곡선을 따르기 때문에 작동온도에 따라 내부의 압력이 결정됩니다.
작동유체에 따라서는 임계점 근처에서 매우 높은 증기압이 되는 경우가 있습니다.
이와 같은 때에는 용기의 강도를 고려하여 경계온도보다 낮은 온도로 제한됩니다.
또, 3중점 부근에서 증기 밀도는 매우 작아 그만큼 큰 열 수송량이 얻어지지 않기 때문에 이보다 어느 정도 높은 온도로 제한되는 일도 있습니다.
표 2와 그림 Ⅰ-2는 작동유체에 따른 히트파이프의 분류와 대표적인 작동유채들이 함께 제시되어 있습니다. 히트파이프 외벽 또는 용기(container)의 내면에는 작동유체(working fluid)의 모세관 현상을 일으킬 수 있는 구조물이 있습니다. 모세관 구조는 윅(wick) 또는 그루브(groove)를 사용합니다. 윅은 심지의 역할을 할 수 있는 다공성 구조물로서, 용기와는 다른 물질로 만들어져 내벽에 부착되며, 그루브는 용기의 내벽을 적당한 형태로 가공하여 만듭니다. 
분류 온도범위 작동유체
극저온용 0 ~ 150 K Helium, Argon, Nitrogen
저온용 150 ~ 750 K Water, Ethanol, Methanol, Acetone, Ammonia, Freon
고온용 750 ~ 3000 K Caesium, Sodium, Lithium
2. 히트파이프의 종류와 응용분야
2.1 히트파이프의 종류
히트파이프의 종류는 관점을 두는 방식에 따라 분류할 수 있는데, 여기서는 일반적인 방법에 의하여 그 용도에 대해 서술합니다.

1. 작동온도와 작동유체에 의한 분류
작동원리에서도 서술했듯이 히트파이프의 작동온도는, 충전되어 있는 작동유체의 액상과 기상이 공존하는 범위여야 합니다. 이 부분은 앞절에서 서술하였습니다.

2. 구조에 의한 분류
히트파이프에 작동원리로부터 형상에 대한 제약은 거의 없습니다. 히트파이프의 구조에 따라 분류하면 다음과 같습니다.
(1)원통형
이것은 가장 대표적인 형상이고, 응용범위도 넓습니다.
예를 들면, 보통의 열교환기에 사용하는 히트파이프는 거의 원통형으로 관 외면에 가열 또는 냉각을 위한 fin을 붙이는 것이 일반적입니다.
이 히트파이프의 제작에는 표준 관재를 사용할 수 있고 제작이 용이하며, 비용이 염가라는 특징이 있습니다.

(2)평판형
히트파이프식 요리용 철판은 평판형의 대표되는 형태로 열원 또는 흡열원과의 전열 면이 평면으로 이용가치가 높습니다.
소형은 전자소자의 방열용으로 실용화되고 있습니다.

(3)분리형
이것은 증기 통로와 응축 액귀환류의 통로를 분리한 형식입니다.
증기류와 액류의 상호간섭을 완전히 배제하고 있으므로, 비산한계 혹은 플러딩 한계가 존재하지 않습니다.
따라서, 최대 열 수송량을 매우 크게 할 수 있습니다.
단, 중력에 의해 응축액이 귀한 할 수 있도록 응축부와 증발부의 상하높이 차가 있어야 합니다.

(4)롱(long)히트파이프
장래 히트파이프 응용의 하나인 큰 분야로 생각되고 있는 것으로 지열 개발이 있습니다.
일반적으로 지열을 이용하기 위해서는 온도가 높은 수증기 혹은 지하수를 직접 지표까지 pumping해야 합니다. 그런데, 이 같은 고온수가 비소 따위의 유독 광물질은 포함하는 경우가 많고, 이용 후 물의 처리에 곤란함이 생깁니다.
실제로 필요한 것은 열 에너지 뿐이므로, 여기에 롱 히트파이프를 이용할 수 있습니다.
이것은 수 백미터의 매우 긴 열사이펀식이며, 100m급의 히트파이프는 이미 개발되어 지하케이블 내각용에 실용 단계까지 와 있으며, 이것은 지하 케이블의 방수에도 크게 도움이 됩니다.

(5)마이크로 히트파이프
비약적으로 고집적화를 진행하고 있는 추세에서 전자소자를 직접적으로 온도제어를 하고자 할 때 사용하게 되는 것으로, 예를 들면 실리콘웨어(silicon ware)의 칩(chip)에 웨이퍼직경은 미크론단위(micron order)의 미소 히트파이프입니다.
현재 노트북 P.C의 CPU 냉각용으로는 약Ø3~4mm의 히트파이프가 실용화 되어 있으며, 내부구조는 그루부형 스크린메쉬형, 와이여 삽입형으로 되어 있어 모세관을 발생하도록 하고 있습니다.
2. 이용목적에 의한 분류
히트파이프의 이용목적은 다양하지만, 이를 열 이용의 목적으로 크게 나누어 구분하였습니다
(1)가변컨덕턴스(conductance)히트파이프(VCHP)
이것은 열원 또는 흡열원의 온도제어, 혹은 열류의 제어를 목적으로 한 히트파이프입니다.
이것에는 수많은 아이디어가 있고, 각종의 형식시스템이 고안되고 있습니다.
그러나, 일반적으로 열수송량을 변화시키는 방법으로서는 어느 것이나 응축부의 유효 전열면적을 증감시키는 것에 의하고 있습니다.
이것을 응축부의 끝부분에 설치한 가스 reservoir 혹은 액체 reservoir에서 나오고 들어감에 따라 응축부의 유효길이를 증감시키는 것입니다.
여기에는 자기제어형과 귀환액제어형이 있습니다.
전자의 예로서는, 보통의 히트파이프에 최적의 비응축가스를 봉입하는 것만으로 자기제어가 가능한 것을 만들 수 있습니다.
또, 후자의 예로서는, 온도검출부에서의 신호를 전하고 외력에 의해 가스 혹은 액체를 조절하여 열전달 유효 면적을 변화시킵니다.

(2)열 다이오드, 열 스위치
열다이오드는 열사이편에서 열흐름이 한방향으로 전달되는 특성으로, 고온부와 저온부의 위치를 역전시키면 윅크식과 같은 열전달이 발생하지 않습니다.
즉, 중력의 반대 방향으로만 열을 전달하는 열흐름의 반도체적 특성을 갖는 히트파이프입니다.
예를 들면 태양열 집열기에서 햇빛이 차단될 때는 그때까지 수집한 열 에너지가 역류하지 않도록 이 형식의 히트파이프가 채용되고 있습니다.
열 스위치는 열수송을 행하고 있는 히트파이프에, 필요에 따라 지금까지의 열흐름을 차단하는 히트파이프입니다.
예를 들면, 경사형 열사이펀식 히트파이프에서 증발부가 드라이 아웃을 일으키고 열수송이 중단되는 형식입니다, 이상의 제어를 목적으로 하는 히트파이프는 현재에 있어서는 아직 널리 실용화 단계에 이르지 못하고 있으며, 향후 응용개발이 기대되는 한 분야입니다.
목적 구체적인 예
열수송 열교환기, 페열회수, 공조, 태양열 집열기 지열이용 잠열장치
가 열 보일러, 노면, 지붕의 눈 제거, 급.배수관의 동격방지, 기화기의 가열, 자동쵸오크, 히트로울(roll), 히트목욕솔, 주방기기
냉 각 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터, IC, LSI, VLSI등 전자소자의 방열, 전자기기상자의 냉각, 인공위성탑재의 냉각, 송.변전기기의 냉각, 회전기의 냉각, 케이블의 냉각, 관로(管路)냉각, 금형.주물의 냉각, 바이트.드릴의 냉각, 엔진냉각, 브레이크냉각, 냉장.냉동고.영구동결대보호, 저온 외과수 술, 얼음 주머니
온도.열류의 제어 가변콘덕턴스(conductance) 히트파이프(VCHP), 열다이오드, 열스위치
표 3. 이용목적과 구체적인 예
2.2 히트파이프의 응용사례
1. 산업용 및 공조용 열 교환기
히트파이프 열 교환기는 가장 많은 산업적 응용도를 가지고 있는 항목이라고 할 수 있으며, 대형 플랜트에서의 폐열회수, 가열 및 냉각공정에서의 고효율 에너지 변환 및 이송, 공기조화 및 냉동장치 등에서의 열 전달 장치로 사용되고 있습니다.
중국에서의 사례를 보면 제철공장, 정유공장 등 중화학 플랜트의 가열로, 고온공기로, 보일거, 공기 예열기, 건조탑 등에서 히트파이프 열 교환기를 사용한 결과 재래식인 관형(tube type) 열 교환기보다 최소 3배에서 5배의 열 전달 성능을 얻을 수 있었습니다.

이를 사용하여 장기 운전시의 결과를 분석해 보면 산업용 폐열의 30 ~ 50%를 회수할 수 있었으며, 연료 절감율은 5 ~ 10%에 이르고, 초기투자에 대한 회수기간은 1 ~ 3년 정도로 알려져 있습니다. 적용 온도범위는 고온기체온도가 150 ~ 450 ℃, 배기가스의 온도는 50 ~ 150℃로서 비교적 낮은 온도 온도범위에 속합니다.
한편, 열 교환 장치의 부피는 1/2 내지 1/3 정도로 축소되었으며, 정비와 수리가 용이하고 내부식성도 훨씬 높일 수 있었다는 것이 보고되어 있습니다.
러시아에서 대형 환기장치에 응용된 사례에 의하면, 온도-5℃에서 18℃의 외부 공기를 시간당 8,000에서 18,000m3 흡입하여 12 ~ 15℃의 실내 공기로 만들 때 열 교환 효율은 52 ~ 61%에 달했으며 장기운전 분석 결과 투자회수기간은 2.5년 정도로 나타나 있습니다.

폐열회수 보일러는 애형 플랜트에서 고온 배기가스의 폐열을 이용하여 증기를 발생시키는 열 교환기입니다. 이는 정유공장의 fired heater, 가스터빈 플랜트, 유리공장, 제철소 및 제련소 등의 로(furnace)등에 응용되어 큰 성과를 거둔 사례가 알려져 있습니다.
하루 1만 배럴을 생산하는 정유공장에서의 예를 보면, 유량 18,000 kg/h, 온도 482℃의 배기가스에서 열을 회수하여 259℃로 배출시키면서 150 psig의 수증기를 1,914 kg/h의 율로 발생기킬 수 있었습니다.
이 경우 장기운전 분석 결과 전체 투자의 회수기간은 1년 밖에 되니 않았다. 한편, 배기가스 온도가 400에서 500℃ 범위인 가스터빈 플랜트도 매우 좋은 응용 예로 알려져 있습니다.
통상적인 관군식 열 교환기는 return bend들이나 header들을 여러 개 비치하므로, 설계와 제작이 난이하고 보수가 까다로운데 비해 히트파이프를 이용하면 정비는 물론 장치의 제작에도 큰 장점이 있음이 알려져 있습니다.

2. 전기/전자장치의 열 제어 수단
전기장비에 히트파이프가 응용되는 예는 열을 발생하는 전동기 등의 회전기계, Power supply, 변압기, 충전시스템, 그리고 레이져(laser)나 초음파 발생장비의 냉각 및 온도조절 등에서 볼 수 있습니다.
전자장치에서는 트랜지스터, thyristor 등은 물론 IC, VLSI, 회로기판(PCB) 또는 모듈의 냉각에 이용되고 있습니다.
전자부품은 고열에 취약하여 온도가 높아지면 성능이 급격히 저하하거나 부품 자체에 손상을 가져올 수 있습니다.
히트키카(heat kicker)라고 불리는 냉각기구는 일반적인 히트싱크(heat sink)의 성능을 증진시킨 것으로, 몇 개의 전자부품이나 모듈로부터의 발생열을 히트파이프의 증발부로 집결시킨후 일정거리를 이송한 후 확장표면(fin)이 여러개 부착된 응축부에서 자연대류에 의해 열을 방출시키는 구조로 되어있습니다.
이러한 냉각방법으로 재래식 냉각장치의 부피를 1/10까지는 축소시킨 경우가 있습니다.
최근 전자부품이 보다 소형화되면서 단위면적당의 소비전력은 증가되어 IC 및 VLSI를 위시한 micro electrics전반에 걸쳐 냉각의 문제가 심각하게 대두되고 있습니다.
상변화를 이용한 여러형태의 냉각방법들이 개발되어 왔으나, 국소적인 온도구배를 가능한 작게하여 열응력을 소산시킬 수 있는 효과적 방법은 아직도 개발의 여지가 남아있습니다.
이러한 문제를 해결하기 위해 최근에 개발된 것이 마이크로 히트파이프(micro heat pipe)인데, 외형상의 크기가 작은 바늘정도로 직경이 0.5mm이내이고 길이가 수 cm정도까지도 포함됩니다.
이것은 외부에서 접근하기 어려운 소형 고집적회로의 내부 또는 비디오헤드의 냉각에 사용 될 수 있습니다. 현재 컴퓨터 냉각용으로 많이 사용되는 마이크로 히트파이프의 개념은 원래의 정의보다는 조금 큰 것으로 실용화되어 있으며 외경이 3mm이내의 크기로서 ‘miniature 히트파이프’라고 분류해야 할 정도의 것입니다.
이는 약 30cm내외의 길이로 15W 정도의 열 부하를 이송할 수 있으며, 미국과 일본 등에서 노트북 컴퓨터의 CPU냉각 등에 사용되는 것이 상용화되어 있습니다.
한편, 고출력 통신기기 및 대형전자식 교환기의 냉각에 열 사이펀 또는 히트파이프를 적용하는 시스템도 개발되고 있습니다.

3. 대체에너지 이용분야
대체에너지원은 지열, 풍력, 조력 등이 될 수 있으나, 아직까지 가장 용이하게 접근할 수 있는 것은 태양열이라 할 수 있습니다.
태양열 집열기의 경우 종래의 액체순환식과 비교하면, 펌프동력이 필요없이 축열조까지의 열이동이 가능하며 열 다이오드의 효과로 야간의 열 손실을 줄일 수 있는 것이 큰 장점으로 알려져 있습니다.
일본과 러시아 등지에서 1980년대 중반에 개발된 수동형 급수가열기 등은 흡열표면에 선택적 도장을 함으로서 45%정도의 흡열성능을 가지며, 약 1.44m2의 집열면적으로 100리터의 온수를 공급할 수 있었습니다.
작동온도는 60℃이하의 저온범위이므로 히트파이프 외벽의 재질은 구리나 알루미늄을 사용하고, 작동유체로는 물, 아세톤, 에탄올, 헵탄(heptane), 암모니아 등을 사용할 수 있습니다.
깊은 지하로부터 지열을 이용하는 경우에도 길이가 수백 미터에 이르는 긴 히트파이프를 사용하여 지상의 장치에까지 열 전달을 시도하는 예가 있습니다. 다른 예로서, 적설량이 많거나 빙결이 자주 있는 지역에서 비상활주로 또는 간선도로를 항상 사용 가능한 상태로 확보하는 수단으로서, 노면 밑에 긴 코일형태의 히트파이프를 매설하고 비상시에 많은 열을 한꺼번에 보내 짧은 시간 동안 에 제설 혹은 제빙할 수 있도록 하는 방법도 실제 사용하고 있습니다.

4. 위성체 열 제어용
위성체에 각종 전자부품 및 장비, 광학 센서 및 측정장치, 전력발생, 저장 및 공급장치 등의 최적성능을 위한 작동 온도조건을 구성하는 것은 물론, 열 응력으로 인한 변형, 파괴로부터 이들을 보호하기 위해 적절한 열제어방법이 사용되어야 합니다.
히트파이프는 이러한 열 제어 수단으로 가장 많이 사용되어 오고 있습니다.
실용성 있는 위성체의 경우 히트파이프는 열 제어 계통의 핵심요소로서 무중력상태에서 작동하고, 소형, 경량이어야 하며, 무엇보다도 그 작동의 내구성과 신뢰성이 요구됩니다.
또한, 내부의 각 모듈(module)과 부품들이 보다 밀집되어 제작될 수 있는가 하는 것은 히트파이프가 이러한 조건에서 각 부품의 온도환경을 보장하여 통상 10년 동안의 장기 작동시의 안정성과 신뢰성을 유지해 줄 수 있는가에 의해 최종적으로 좌우된다고 볼 수 있습니다.
따라서 지상의 용도에서 보다 훨씬 엄격한 제작기술의 기준은 물론 장기운전시의 성능을 예측할 수 있는 시험평가방법 등이 필요합니다.
위성체에 히트파이프를 사용하는 것은 미국과 유럽등 선진국에서 1960년대 말부터 이루어져 왔습니다. 미국에서는 NASA, 유럽에서는 EPA를 중심으로 1970년대 초부터, 그리고 일본에서도 1980년대 초부터 NASDA등의 우주개발 및 위성체 관련 연구 개발 기관을 중심으로 그간 각종 히트파이프의 설계, 제작, 시험, 등 개발에 관한 기술이 상당히 많이 축적되어 왔습니다.
진공 및 무중력장(또는 미소 중력장)이라는 우주의 특수환경에 적합하도록 고려하는 측면에서 히트파이프를 개발하는 것은 국내의 여건과 비교해서 상대적으로 수월한 셈입니다.

적용실례를 보면 위성체 외부 구조물이나 태양전지판에서 태양을 보는 부분과 그 반대편에서의 온도차는 115℃ 정도에 이를 수 있는데, 히트파이프를 사용하여 등온화를 이루는 경우는 온도차를 10℃정도로 낮추어 열응력을 최소화 할 수 있음이 보고되어 있습니다.

위성체에서 열제어의 주요대상은 문헌들에서도 언급되고 있는바 적재된 전자장치의 발열부입니다. 히트파이프는 통상 TWT 등 고발열장치를 부착하는 sandwich panel의 사이에 삽입되어 열을 소산시키거나 방열부(radiator)쪽으로 이송시키는 역할을 해오고 있습니다.
VCHP(Variable Conductance Heat Pipe)를 OBP(On-Board Precessor)의 온도제어에 사용하는 경우 10에서 30W의 출력에서 17±3℃의 최적온도범위로 유지할 수 있었음이 알려져 있습니다.
위성체 내부의 전력변환장치, 정류기 등에서 4KW의 많은 폐열을 내는 경우에도 열의 이송과 방출에 물을 작동유체로 하는 히트파이프가 사용되었다. 70년대초 개발된 저온용 히트파이프의 열 이송성능은 대개 1인치의 직선길이당 3W정도였으나, 80년대 space shuttle이 개발된 후는 그 성능이 1인치당 30W정도로 향상되었습니다.
히트파이프가 열원과 열 침을 격리시킬 수 있는 특성도 위성체나 우주선에의 적용에 유리한 장점입니다.
선체내부의 열은 body mounted radiator 혹은 별도의 deployed radiator를 통해 우주공간으로 방출되며, 이러한 방열기의 방열성능을 증가시키기 위해서 히트파이프가 적용됩니다.
방열기는 보통 강도를 고려하여 제작되므로 honeycomb형태의 panel로 되어 sandwich형으로 히트파이프를 내장하는 것이 보통입니다. 히트파이프의 열 이송 성능을 증진시키기 위해 많은 모세관 구조물의 형태가 우주용으로 제안되어 왔는데, artery 형의 wick외에도 slab wick, monogroove channel, eye-drop형 그루브 등이 기존의 단순 윅이나 그루브 등 보다 증진된 성능을 보이고 있습니다.

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